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标题:Infineon(IR) IGD15N65T6ARMA1功率半导体IGD15N65T6ARMA1的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。而作为电力电子的核心元件,功率半导体器件的重要性不言而喻。今天,我们将详细介绍一款来自全球知名的半导体制造商Infineon(IR)的IGD15N65T6ARMA1功率半导体器件。 首先,让我们了解一下这款IGD15N65T6ARMA1的特点和性能。它是一款N-MOS场效应晶体管,具有高耐压、大电流
标题:IXYS艾赛斯IXBH32N300HV功率半导体DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2技术应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术也在不断进步。IXYS艾赛斯公司作为全球领先的功率半导体供应商,其IXBH32N300HV功率半导体DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2技术以其卓越的性能和可靠性,在众多领域得到了广泛应用。 IXBH32N300HV功率半导体DISC IGBT是一种先进的功率半导体器件,具有高耐压、大电流、高频、高效等优
标题:Infineon(IR) IRGS6B60KDTRLP功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IRGS6B60KDTRLP功率半导体IGBT是一种高性能的功率电子器件,具有11A,600V,N CHANNEL的技术特点。该器件在工业、交通和能源等领域具有广泛的应用前景。 首先,IRGS6B60KDTRLP IGBT的电流容量达到11A,这使得它能够在各种复杂的工作环境中发挥出色的性能。其次,其工作电压为600V,表明它可以承受相当高的工作电压,从而保证在高压环境下稳定
标题:IXYS艾赛斯IXBH10N300HV功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXBH10N300HV功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件,适用于各种电子设备中,如电源转换器、电机驱动器、加热器和照明系统等。其特点在于高效率、低损耗、高可靠性以及易于集成,因此在现代电子设备中扮演着重要的角色。 二、技术特点 IXBH10N300HV IGBT的最大重复峰值电压为3000V,电流容量为20A,最大输出功率为140W。其工作频率范围广泛,从几十Hz到几MHz,
标题:Infineon(IR) IRGS4615DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE技术与应用介绍 随着电力电子技术的快速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IRGS4615DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE作为一种重要的电力电子器件,在许多高效率、高功率的设备中发挥着关键作用。本文将围绕IRGS4615DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE的技术和方案应用进行介绍。
标题:Infineon(IR) IRGB4615DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IRGB4615DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE作为一种高性能的功率半导体器件,在工业、交通、能源等多个领域发挥着重要的作用。本文将介绍IRGB4615DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE的技术和方案应用。 一、技术
随着科技的飞速发展,电力电子技术也在不断进步,IXYS艾赛斯公司的IXGT25N250HV功率半导体DISC IGBT便是其中一款备受瞩目的产品。这款产品采用了先进的IGBT技术,具有高效率、高功率密度、高可靠性等特点,广泛应用于各种工业和商业应用场景。 IXGT25N250HV功率半导体的DISC IGBT采用了IXYS艾赛斯独家的技术方案,具有以下特点:首先,该产品采用了先进的IGBT模块设计,具有更高的热稳定性和电气性能。其次,该产品采用了先进的散热技术,能够有效地降低模块的温升,提高产
标题:Infineon(IR) IRGS4610DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE的技术与应用介绍 Infineon(IR)的IRGS4610DPBF功率半导体IGBT是一款采用Recovery Diode技术的先进产品。该器件在众多领域,如电力转换、工业应用、新能源汽车以及智能电网等,都发挥了关键作用。 首先,我们来了解一下IRGS4610DPBF功率半导体IGBT的基本技术特性。它是一种双栅极结构,具有高输入阻抗、低导通压降、高开关速度以及高浪涌能力等特点。
标题:IXYS艾赛斯IXBH14N300HV功率半导体DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2技术及其应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。IXYS艾赛斯公司作为全球领先的功率半导体供应商,其IXBH14N300HV DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2技术以其卓越的性能和可靠性,在众多应用领域中发挥着关键作用。 IXBH14N300HV DISC IGBT BIMSFT是一种具有高效率和良好热稳
标题:Infineon(IR) IRGIB7B60KDPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IRGIB7B60KDPBF功率半导体IGBT是一种重要的电子元件,其在各种电子设备中发挥着关键作用。本文将介绍IRGIB7B60KDPBF的特点、技术应用以及方案应用。 一、IRGIB7B60KDPBF的特点 IRGIB7B60KDPBF是一款高性能的功率半导体IGBT,具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关等优点。其工作频率范围广泛,适用于各种应用场景,如电机驱动、电